参考电路设计

正确的电路设计是确保SD NAND稳定工作的基础。以下是MK米客方德提供的参考设计提示，工程师在设计PCB时可以参考这些建议。

上拉电阻配置

R1~R5（10K-100kΩ）是上拉电阻，当SD NAND处于高阻抗模式时，保护CMD和DAT线免受总线浮动。

即使主机使用SD NAND SD模式下的1位模式，主机也应通过上拉电阻上拉所有的DAT0-3线。这是SD协议的要求，确保信号完整性。

RCLK参考电阻

R6（RCLK）参考0-120Ω，用于CLK信号的阻抗匹配。具体的阻值需要根据实际PCB走线和信号完整性测试来确定。

电源设计规范

SD NAND的工作电压范围是2.7V-3.6V，电源设计需要注意以下几个方面：

1、为了确保芯片能正常上电复位，电压要在0.5V以下至少1ms；

2、电源上升的时候需要保持电源是稳定的、是持续上升的，上升到正常工作电压的时间是0.1ms-35ms；

3、主机关闭电源时，将卡的VDD降至0.5V以下的最小周期为1ms。在断电期间，DAT、CMD和CLK应断开连接或驱动为低电平。

去耦电容设计

在SD NAND的VDD和VSS引脚附近，应放置适当的去耦电容：

1、建议使用100nF的陶瓷电容，尽可能靠近芯片引脚放置；

2、对于大容量SD NAND，建议额外放置10μF的钽电容或陶瓷电容；

3、去耦电容的接地路径应尽可能短，降低寄生电感。

PCB布局建议

PCB布局对信号完整性有重要影响，以下是布局建议：

1、SD NAND应尽可能靠近主控芯片放置，减少走线长度；

2、CMD和DAT信号线应等长走线，保持信号同步；

3、避免将SD NAND放置在PCB边缘，防止分板时产生应力；

4、信号线下方应有完整的地平面参考，避免跨分割。

其他设计注意事项

1、其他详细电路应用说明，请参考"SDA协会规范"第6章"SD Memory Card Hardware Interface"；

2、MK米客方德提供完整的参考设计文件，包括原理图、PCB封装和BOM，客户可以向FAE团队索取；

3、在设计过程中遇到任何问题，欢迎联系MKFAE团队获取技术支持。