SD NAND默认是3.3V的，有些MCU只支持1.8V，为了适配1.8V，SD NAND需要内部用命令把3.3V转换成1.8V

在当今科技时代，数据存储需求急剧增长，NAND 闪存技术作为一种关键的非易失性存储解决方案持续发展。近年来，虚拟 SLC（pSLC）闪存技术的引入，为数据存储领域带来了新的创新。

TBW（Total Bytes Written）是衡量闪存存储器寿命和耐用性的重要指标。但由于写入放大的影响，实际TBW值可能会偏离理论值。本文将介绍TBW的概念以及写入放大系数，并探讨如何降低写入放大对存储器的影响

近日，有客户询问MK 米客方德的SD NAND产品是否可以支持1.8V 的IO电压，原因是他们选择的低功耗蓝牙芯片，如阿波罗 Apollo 3.5或恒玄BES2700IBP，只支持1.8V的IO电压。没有直接选择1.8V SPI NAND的原因是，SPI NAND的坏块需要Host端来管理，而SD NAND内部集成了坏块管理和磨损平均算法；